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发表于 2005-4-7 08:41:18
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[求助]救命,大家来帮忙看看 谢谢
应该是内存的问题，看看bios中内存的设置，把内存的性能调低点试试
附：
一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置
首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing
Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing
Selectable、Timing Configuring By
SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：
1、CL（CAS Latency）：“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”（可能的选项：1.5/2/2.5/3）
BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing
Delay。这个参数很重要，内存条上一般都有这个参数标记。在BIOS设置中DDR内存的CAS参数选项通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3”几种选择，SDRAM则只有“2”、“3”两个选项。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高内存稳定性。
2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5）
BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。数值越小，性能越好。
3、tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”（可能的选项：2/3/4）
BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。预充电参数越小则内存读写速度就越快。
4.tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”（可能的选项：1……5/6/7……15）
BIOS中的可能其他描述：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge
Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active
Time等。一般我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达到
1。调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－11之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。具体的调整要遵循以下两个原则：
a、当内存页面数为4时
，tRAS设置短一些可能会更好，但最好不要小于5。另外，短tRAS的内存性能相对于长tRAS可能会产生更大的波动性，对时钟频率的提高也相对敏感；当内存页面数大于或等于8时，tRAS设置长一些会更好。
目前的芯片组都具备多页面管理的能力，所以如果可能，请尽量选择双P-Bank的内存模组以增加系统内存的页面数量。但怎么分辨是单P-Bank还是双
P-Bank呢？就目前市场上的产品而言，256MB的模组基本都是单P-Bank的，双面但每面只有4颗芯片的也基本上是单 P-Bank 的，512MB
的双面模组则基本都是双 P-Bank的。
页面数量的计算公式为： P-Bank 数量X4，如果是Pentium4或AMD 64
的双通道平台，则还要除以2。比如两条单面256MB内存，就是 2X4=8个页面，用在875上组成双通道就成了4个页面。
b、对于875和865平台，双通道时页面数达到8或者以上时，tRAS设置长一些内存性能更好；对于非双通道Pentium4与AMD 64
平台，tRAS长短之间的性能差异要缩小
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